Інжекція носіїв заряду

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.

Версія для друку більше не підтримується і може мати помилки обробки. Будь ласка, оновіть свої закладки браузера, а також використовуйте натомість базову функцію друку у браузері.

Ця стаття потребує істотної переробки. Можливо, її необхідно доповнити, переписати або вікіфікувати. Пояснення причин та обговорення — на сторінці Вікіпедія: Статті, що необхідно поліпшити.
Тому, хто додав шаблон: зважте на те, щоб повідомити основних авторів статті про необхідність поліпшення, додавши до їхньої сторінки обговорення такий текст:
{{subst:поліпшити автору|Інжекція носіїв заряду|9 квітня 2023}} ~~~~,
а також не забудьте описати причину номінації на підсторінці Вікіпедія:Статті, що необхідно поліпшити за відповідний день. (9 квітня 2023)

Ця стаття не містить посилань на джерела. Ви можете допомогти поліпшити цю статтю, додавши посилання на надійні (авторитетні) джерела. Матеріал без джерел може бути піддано сумніву та вилучено. (грудень 2017)

Інже́кція (лат. injectio — впускання) (рос. инжекция; англ. injection; нім. Injektion f, Einspritzung f) — Процес переходу носіїв заряду через p-n перехід з подальшою рекобінацією в область напівпровідника, де ці носії заряду є неосновними.