漏極,柵極(Gate——G,也叫做門極),源極(Source——S), 漏極(Drain——D)場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。
基本介紹
- 中文名:漏極
- 外文名:drain
- 電晶體:是由兩種極性的載流子
- 易於集成:沒有二次擊穿現象
- 夾著一層:低摻雜的N區(N區一般做得很薄)
簡介
![封裝示意 封裝示意](http://178.128.105.246/cars-https-www.newton.com.tw/img/b/118/nBnauEGMiNDNmVGMiFjMkVWM3czN4EGNjFDM1Y2M0QGO4YDZ1QjM5MDMkZ2LtVGdp9yYpB3LltWahJ2Lt92YuUHZpFmYuMmczdWbp9yL6MHc0RHa.jpg)
漏極,柵極(Gate——G,也叫做門極),源極(Source——S), 漏極(Drain——D)場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。
漏極,柵極(Gate——G,也叫做門極),源極(Source——S), 漏極(Drain——D)場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。...
漏極開路(Open Drain)即高阻狀態,適用於輸入/輸出,其可獨立輸入/輸出低電平和高阻狀態,若需要產生高電平,則需使用外部上拉電阻或使用如LCX245等電平轉換晶片。....
特點 組成開漏形式的電路有以下幾個特點 1. 利用外部電路的驅動能力,減少IC內部的驅動。當IC內部MOSFET導通時,驅動電流是從外部的VCC流經R pull-up ,MOSFET到...
漏極開路輸出一般情況下都需要外接上拉電阻,才能輸出高電平,和集電極開路輸出類似,類似的還有漏極開路(Open Drain Output),其是驅動電路的輸出MOS管的漏極開路,...
場效應管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道...
·開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;·標準的N溝道MOS管,VT約為3~6V;·通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值...
2、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比雙極電晶體好。3、場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而雙極結型電晶體...
OC門,又稱集電極開路門,Open Collector,還有OD門(Open Drain,漏極開路門,對場效應管而言)。實際使用中,有時需要兩個或兩個以上與非門的輸出端連線在同一條導線...
GIDL(gate-induced drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流,對MOSFET的可靠性影響較大。...
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關係。IGBT 處於導通態時,由於它的PNP 電晶體為寬基區電晶體,所以其B 值極低。儘管等效電路為達林頓結構,但流過...
開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏極。同理,開集電路中的“集”就是指三極體的集電極。開漏電路就是指以MOS FET的漏極為輸出的電路。...
Kink效應是指場效應電晶體的漏極電流與漏極電壓的非飽和特性。...... Kink效應是指場效應電晶體的漏極電流與漏極電壓的非飽和特性。中文名 Kink效應 外文名 Ki...
共漏極放大電路又稱為源極輸出器或源極跟隨器,它和三極體組成的共集電極放大電路具有類似的特點,如輸入電阻高,輸出電阻小,電壓放大倍數略小於1,一般用於多級放大...
由於PN結中的載流子已經耗盡,故PN基本上是不導電的,形成了所謂耗盡區,從圖1中可見,當漏極電源電壓ED一定時,如果柵極電壓越負,PN結交界面所形成的耗盡區就越厚,...
如果在製造時,把襯底改為N型,漏極與源極為P型,則可構成P溝道增強型或耗盡型場效應管,其工作原理與N型溝道場效應管相同。使用時UGG、UDD的極性應與N溝道...