Квон, Зе Дон

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
(перенаправлено с «Квон Зе Дон»)
Перейти к навигации Перейти к поиску
Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон
Дата рождения 3 ноября 1950(1950-11-03) (73 года)
Место рождения пос. Быков, Долинский район, Сахалинская область, РСФСР, СССР
Страна  СССР Россия
Род деятельности физик
Научная сфера физика конденсированного состояния
Место работы Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, НГУ
Альма-матер НГУ
Учёная степень доктор физико-математических наук (1992)
Учёное звание профессор (1993)
член-корреспондент РАН (2022)
Награды и премии

Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон (род. 3 ноября 1950 года) — советский и российский физик, специалист в области физики конденсированного состояния и мезоскопической физики. Заведующий лабораторией Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Доктор физико-математических наук (1992), профессор кафедры физики полупроводников ФФ НГУ (1993)[1], член-корреспондент РАН (2022)[2].

Известен исследованиями физичеких свойств низкоразмерных электроннo-дырочных систем в квантовых ямах на основе теллурида ртути[2]. Автор и соавтор более 300 статей[2]. Имеет более 3200 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша (2021 год) — 31[3].

Родился 3 ноября 1950 года в поселке Быков Долинского района Сахалинской области в семье служащих[4]. В 1973 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, а в 1978 году — аспирантуру Института физики полупроводников имени А. Ф. Иоффе РАН[4].

Начал работать в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН с 1973 года. В 1998 году стал заведующим лабораторией физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5[4].

В 1980 году защитил кандидатскую диссертацию[5] по теме «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах».

В 1992 году защитил докторскую диссертацию по теме «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе»[4].

С 1984 года ведёт преподавательскую деятельность в НГУ и в 1993 году стал профессором кафедры физики полупроводников. Читает курс «Физика полупроводников тонких слоёв и низкоразмерных структур»[4].

В 2022 году избран членом-корреспондентом от Отделения физических наук РАН[2].

Научная деятельность

[править | править код]

З. Д. Квон является специалист в области физики конденсированного состояния. Его основная сфера научных интересов связана с изучением квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур[6][2].

Вклад З. Д. Квона в исследования физики конденсированного состояния описываются, но не исчерпываются следующими темами: интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием, подавление слабой локализации микроволновым полем, стохастическая динамика двумерных электронов, мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопическая термоэдс, осцилляции Ааронова — Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах, обусловленное эффектами памяти отрицательное магнитосопротивление, эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник, магнитный пробой двумерного топологического изолятора, осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением, межзонные переходы в трехмерном топологическом изоляторе[6][2].

Под руководством З. Д. Квона впервые определены величина рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии, созданы и исследованы новые разновидности твердотельных электронных биллиардов и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства. В его лаборатории в Институте физики полупроводников в Новосибирске исследованы состояния двумерного полуметалла в HgTe квантовых ямах и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе, двумерные и трёхмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жесткой связью спина и электрона[6][2].

Библиография

[править | править код]
  • Baskin, E.; Gusev, G.; Kvon, Z.; Pogosov, A.; Entin, M. (1992). "Stochastic dynamics of 2D electrons in a periodic lattice of antidots". ZhETF Pisma Redaktsiiu. 55: 649.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Gusev, G. M.; Kvon, Z. D.; Shegai, O. A.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A.; Portal, J. C. (2011). "Transport in disordered two-dimensional topological insulators". Physical Review B. 84: 121302. doi:10.1103/PhysRevB.84.121302.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Gusev, G. M.; Kvon, Z. D.; Olshanetsky, E. B.; Levin, A. D.; Krupko, Y.; Portal, J. C.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A. (2014). "Temperature dependence of the resistance of a two-dimensional topological insulator in a HgTe quantum well". Physical Review B. 89: 125305. doi:10.1103/PhysRevB.89.125305.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Olshanetsky, E. B.; Kvon, Z. D.; Gusev, G. M.; Levin, A. D.; Raichev, O. E.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A. (2015). "Persistence of a Two-Dimensional Topological Insulator State in Wide HgTe Quantum Wells". Physical Review Letters. 114: 126802. doi:10.1103/PhysRevLett.114.126802.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Cassé, M.; Kvon, Z. D.; Gusev, G. M.; Olshanetskii, E. B.; Litvin, L. V.; Plotnikov, A. V.; Maude, D. K.; Portal, J. C. (2000). "Temperature dependence of the Aharonov-Bohm oscillations and the energy spectrum in a single-mode ballistic ring". Physical Review B. 62: 2624—2629. doi:10.1103/PhysRevB.62.2624.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Levin, A. D.; Gusev, G. M.; Levinson, E. V.; Kvon, Z. D.; Bakarov, A. K. (2018). "Vorticity-induced negative nonlocal resistance in a viscous two-dimensional electron system". Physical Review B. 97: 245308. doi:10.1103/PhysRevB.97.245308.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
  • Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (5 февраля 2024 года) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук[7].

Примечания

[править | править код]
  1. Профессора НГУ, 2014, с. 199—200.
  2. 1 2 3 4 5 6 7 Квон Зе Дон. https://new.ras.ru/. РАН (2022). Дата обращения: 9 мая 2024. Архивировано 9 мая 2024 года.
  3. Список российских учёных, имеющих индекс цитирования > 1000. Дата обращения: 1 мая 2014. Архивировано 31 октября 2020 года.
  4. 1 2 3 4 5 Профессора НГУ, 2014, с. 200.
  5. Профессора НГУ, 2014, с. 199.
  6. 1 2 3 Квон Зе Дон (Дмитрий Харитонович). Объединение учителей Санкт-Петербурга. eduspb.com. Дата обращения: 24 декабря 2022. Архивировано 24 декабря 2022 года.
  7. Указ Президента Российской Федерации от 5 февраля 2024 года № 91 «О награждении государственными наградами Российской Федерации». Дата обращения: 5 февраля 2024. Архивировано 5 февраля 2024 года.

Литература

[править | править код]
  • Профессора НГУ. Физический факультет. Персональный состав. 1961—2014 гг. / Cост. Н. Н. Аблажей, С. А. Красильников; отв. ред. В. А. Александров. — Новосибирск: РИЦ НГУ, 2014. — 540 с. — ISBN 978-5-4437-0326-8.